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[发明专利]制程异常处理方法、装置、制程控制系统及存储介质-CN202310956223.4在审
发明人：王伟;刘奇;王麟皓;柯卫 -专利权人：格创东智（武汉）科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本申请提供一种提供制程异常处理方法、装置、制程控制系统及存储介质，提供制程控制系统包括至少两个用于执行不同制程的机台，获取当前制程对应制程机台中目标产品的产品制程参数；根据产品制程参数的变化信息，确定当前制程的状态；若当前制程的处于异常状态，则控制当前制程对应的制程机台停止当前制程，并将当前制程的异常信息以及产品制程参数反馈到用户端；根据用户端的反馈信息控制制程控制系统中的机台运行。通过在检测到当前制程处于异常状态的时候，立即控制当前制程对应的制程机台停止，避免制程机台继续执行当前制程，生成更多有异常的目标产品，进一步根据反馈信息控制机台运行，进而降低当前制程对应的产品报废率。
异常处理方法装置程控系统存储介质

[发明专利]以软板进行封装的制程方法及供制程用的载具-CN200710107723.1无效
发明人：杨顶安 -专利权人：同欣电子工业股份有限公司
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种用软板进行封装的制程及实现该制程的载具。在软板进入黏晶程序之前，将一载具安装在该软板周边，以加强该软板的强度，然后再进入硬板用的黏晶、打线机台内进行黏晶、打线程序；由于硬板用机台比软板机台有更大的吸力及压力等作用力，因此本发明通过预先在软板上安装载具，能有效防止软板在黏晶、打线制程中偏移或损坏，或在烘烤制程中变形。
进行封装方法供制程用

[发明专利]基板制程系统中用于校准流量控制器的装置及方法-CN201180007645.2有效
发明人：詹姆斯·P·克鲁斯;约翰·W·雷恩;玛瑞斯科·格雷戈尔;达科·巴库斯;拜林·达兰;克里·林恩·柯布;明·徐;安德鲁·源 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板制程系统中用于校准多个气体流量的方法及装置。在一些实施例中，基板制程系统可包含群集工具，该群集工具包含：与中央真空传送腔室耦接的第一制程腔室及第二制程腔室；第一流量控制器，该第一流量控制器提供制程气体至该第一制程腔室；第二流量控制器，该第二流量控制器提供制程气体至该第二制程腔室
基板制程系统用于校准流量控制器装置方法

[实用新型]空压机余热回用系统-CN201620037440.9有效
发明人：丁红祥;马训明;李和男;徐丽亚;叶江迅 -专利权人：浙江嘉华特种尼龙有限公司;浙江台华新材料股份有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空压机余热回用系统，包括用于对空压机组进行循环冷却的循环冷却系统和制程水供给系统，循环冷却系统包括与空压机组相连的冷却水进水管和冷却水出水管，制程水供给系统包括用于向生产机组提供制程水的制程水供给水管和制程水回水管，冷却水出水管与所述制程水供给系统之间设有热交换器，所述热交换器的其中一根换热管的两端与所述冷却水出水管相连，另一根所述换热管的两端分别与所述制程水供给水管和制程水回水管相连，且所述冷却水出水管上与所述热交换器对应设有阀门本实用新型的空压机余热回用系统，能够有效将空压机余热进行回收再利用，确保生产制程水温能够满足使用要求，从而提高产品品质，实现节能降耗的目的。
空压机余热系统

[发明专利]包含抽出装置的制程系统及其监测方法-CN201910742706.8在审
发明人：魏恺进;陈哲夫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种包含抽出装置的制程系统的监测方法。首先提供制程系统，其包含制程装置和抽出装置，抽出装置与制程装置可经由管路相连通。接着，接收信息，其包含制程的制程当量。然后，以制程装置进行所述制程，并以抽出装置移除制程装置中的固态副产物。接着，量测所述管路的管壁的厚度变化量。之后，根据所述厚度变化量，计算附着于抽出装置中的固态副产物的累积当量。接着，对制程装置的状态、累积当量或电流值进行判断操作，以得知抽出装置中的固态副产物的累积状况。
包含抽出装置系统及其监测方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610770654.1在审
发明人：金道亨;张永书;翰孙其;朴俊书 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：揭露一种半导体装置以及一种其制造方法，其可以减少制程的数目且/或可以降低该半导体装置的一厚度。作为一非限制性的例子，此揭露内容的各种特点系根据介电层特征来提供制程步骤的删除及/或在封装尺寸上的缩减。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造集成电路的方法及系统-CN202210249504.1在审
发明人：何昀芮;廖志腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请提供制造集成电路的方法及系统，制造集成电路的方法包括多晶硅蚀刻制程，其中将具有蚀刻多晶图案的晶圆装载进反应器腔室中并暴露于一种活化蚀刻剂，以及在此蚀刻制程期间调整反应器腔室内的温度条件以增加晶圆的上表面上的聚合物沉积
制造集成电路方法系统

[发明专利]一种机台制程参数偏移的管控系统及方法-CN201510195207.3有效
发明人：李益清;罗异;罗继娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种机台制程参数偏移的管控系统及方法，包括提供制程参数的生产数据监控模块；提供机台维护周期的机台维护管理模块；将制程参数按维护周期分段的制程参数分段模块；根据分段的制程参数数据得到制程参数的数据特征的数据特征产生模块；根据当前维护周期内多个数据及制程参数的数据特征得到当前维护周期内的可信区间的可信区间产生模块。本发明对具有维护周期偏移特性的制程参数按维护周期分段，经程序化计算后得到该参数的数据特征，并根据当前维护周期内的少量数据得到该维护周期内的可信区间，通过对不同维护周期内的可信区间的分别设定，避免制程参数的可信区间设定不当导致的生产和管理问题
一种机台参数偏移系统方法

[实用新型]半导体制程真空腔的静电吸盘快速排气结构-CN202321161212.9有效
发明人：刘华炜 -专利权人：刘华炜
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体制程真空腔的静电吸盘快速排气结构，其包括一真空室本体、一静电吸盘组、一惰性气体供给模块及辅助抽气装置组，其用于至少一晶圆片体的加工，该静电吸盘组设于真空室本体内，以进行晶圆片体的静电吸附，而该惰性气体供给模块连接静电吸盘组进行加工制程中的惰性气体供气，提供制程所需控温的传导作用，且该辅助抽气装置组连接真空室本体及静电吸盘组，当加工制程结束辅助将残留的惰性气体快速抽出，使静电吸盘组上的晶圆片体加工完成后可快速进行取片，有效缩点加工制程的时间，且使加工制程更为顺畅，以达加工稳定性及便利性佳之功效。
半导体制程真空腔静电吸盘快速排气结构

[发明专利]以气喷法制作透明导电氧化粉末的方法-CN01134677.9有效
发明人：赖明雄;邱思议;郑楚丕;温志中 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2001-11-09 - 公布日： 2002-06-05 - 主分类号： C01G1/02 文献下载
摘要：一种以气喷法制作透明导电氧化粉末的方法,对于各种不同的透明导电氧化粉末(ITO、ZnO、In2O3、SnO2)皆可应用,其较佳实施步骤为将提供制作透明导电氧化粉末的金属原料熔融成金属熔液;再以气喷法将该金属熔液制成金属粉末;最后,加温氧化该金属粉末,并控制热处理的制程参数,以获得所需氧化程度的透明导电氧化粉末。本方法可简化制程、降低成本、避免产生任何工业废水以及其它污染的副产品。
法制透明导电氧化粉末方法

[发明专利]半导体磊晶晶圆-CN202210351304.7在审
发明人：黄朝兴;金宇中;戴文长 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：由此提供制作GaAs集成电路或InP集成电路用的高品质半导体磊晶晶圆，同时不影响欧姆接触层的欧姆接触特性与减少干蚀刻制程时所生成的反应物。
半导体磊晶晶圆

[发明专利]一种改善STI研磨前晶圆微刮伤的清洗方法-CN201910808457.8有效
发明人：贾丽丽;李芳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善STI研磨前晶圆微刮伤的清洗方法，提供制程中的晶圆，该晶圆为STI研磨前的晶圆；对晶圆边缘一圈采用氮气和去离子水进行冲洗，去除制程中晶圆边缘残留的颗粒污染物，冲洗方向为沿着晶圆边缘一圈的切线方向
一种改善 sti 研磨前晶圆微刮伤清洗方法

[发明专利]LED磊晶结构及制程-CN201110041286.4无效
发明人：凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的表面。所述磊晶层具有一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。
led 结构

[发明专利]LED磊晶结构及制程-CN201110354599.5有效
发明人：林雅雯;黄世晟;凃博闵 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个缓冲层、一个结构层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述结构层位于所述缓冲层与所述磊晶层之间。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。
led 结构

[发明专利]LED磊晶结构及制程-CN201010595677.6无效
发明人：凃博闵;黄世晟;林雅雯 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个磊晶层以及一个光萃取层。所述磊晶层成长在所述基板的顶面，所述光萃取层形成在所述磊晶层的表层。所述光萃取层具有一个光萃取面微结构层以及一个保护层。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。
led 结构

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